最新电大《光伏技术与应用概论》形考作业任务01—04网考试题及答案

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0任 0任_000 、单项选择题(共0道试题共0分。

) 常用太阳电池和组件效率测试标准()。

0 B 5 总辐射计探测到是太阳()。

直射太阳辐射 B反射太阳辐射 太阳总辐射量 折射太阳辐射 3太阳发射电磁辐射气顶上随()分布叫太阳光谱。

B空 距离 波长 我国太阳能分布丰富是()地区。

青藏高原 B蒙古 宁夏 陕西 5太阳常数参考值()±7。

357 B367 377 387 6下列哪项不属太阳能开发利用特()。

数量巨 B安全 分散性 效率高 7原则上太阳能可以直接或接换成任何形式能量但换次数越多终太阳能换效率便越()。

高 B低 不变 知 8太阳气外层称()。

光球 B色球 日冕 针状体 9太阳常数常用单位是()。

BK K 0太阳常数定义平日地距离地球气层上界()太阳光线表面单位面积上单位所接收到太阳辐射能。

平行 B垂直 倾斜30° 倾斜60° 二、多项选择题(共0道试题共30分。

) 总辐射计探测到是太阳()。

直接太阳辐射 B漫射太阳辐射 反射太阳辐射 折射太阳辐射 我国()等西部地区光照尤丰富。

青藏高原 B蒙古 宁夏 陕西 3以下()地区属我国太阳能热能分布五类地区。

湖南 B四川 广西 贵州 地球太阳能丰富程高地区有()。

东 B美国 非 国 5以下()地区属我国太阳能热能分布二类地区。

河北西北部 B新疆北部 宁夏南部 西藏东南部 6以下()地区属我国太阳能热能分布四类地区。

江西 B辽宁 浙江 云南 7以下()地区属我国太阳能热能分布类地区。

甘肃北部 B新疆南部 宁夏北部 陕西北部 8太阳能开发利用主要步骤有()。

太阳能采集 B太阳能太阳能贮存 太阳能输送 9地球太阳能丰富程低地区有()。

东欧 B新西兰 朝鲜 日 0太阳气概可以分()等层次。

光球 B色球 日冕 针状体 三、判断题(共0道试题共0分。

) 除了原子能、地热和火山爆发能量外地面上部分能直接或接太阳有关。

错误 B正确 地面太阳辐射包括直接辐射和折射辐射。

错误 B正确 3辐照计用测定太阳总辐射量。

错误 B正确 太阳常数常用单位。

错误 B正确 5根据各地接受太阳总辐射量多少可将我国划分五类地区。

错误 B正确 6直接接收到、不改变方向太阳辐射称直接太阳辐射。

错误 B正确 7原则上太阳能可以直接或接换成任何形式能量但换次数越多终太阳能换效率便越低。

错误 B正确 8太阳辐射能流密高。

错误 B正确 9气层影响不仅与太阳光入射方向有关而且还与气吸收、散射、反射太阳辐射物质有关。

错误 B正确 00是太阳光气层外情况。

错误 B正确 四、理(共0道试题共30分。

) 将下列世界气候带对应

)赤道带 纬0º~回归线(35º) B回归线至极圈(35º~665º) 南北纬0º以 )热带 纬0º~回归线(35º) B回归线至极圈(35º~665º) 南北纬0º以 3)温带 纬0º~回归线(35º) B回归线至极圈(35º~665º) 南北纬0º以 将下列省份地区与太阳能分布情况对应

)山东 二类 B三类 四类 )江西 二类 B三类 四类 3)宁夏南部 二类 B三类 四类 3将下列概念与义对应

)太阳常数 描述气层上太阳辐射强 B太阳发射电磁辐射气顶上随波长分布 太阳光线穿地球气路径与太阳光线天顶角方向 )太阳光谱 描述气层上太阳辐射强 B太阳发射电磁辐射气顶上随波长分布 太阳光线穿地球气路径与太阳光线天顶角方向 3)气光学质量 描述气层上太阳辐射强 B太阳发射电磁辐射气顶上随波长分布 太阳光线穿地球气路径与太阳光线天顶角方向 将下列地球太阳能分布情况与地区对应

)丰富程高地区 国 B印 日 )丰富程高地区 国 B印 日 3)丰富程低地区 国 B印 日 5将下列太阳结构与能量传播方式对应

)核反应区 辐射 B对流 对流和辐射 )辐射区 辐射 B对流 对流和辐射 3)对流区 辐射 B对流 对流和辐射 6将下列太阳能换成不形式能量要不能量换器对应

)光合作用 太阳能换成热能 B太阳能换成电能 太阳能换成生物质 )集热器 太阳能换成热能 B太阳能换成电能 太阳能换成生物质 3)太阳电池 太阳能换成热能 B太阳能换成电能 太阳能换成生物质 7将下列气层影响情况对应

)气吸收作用 各种气体分子、水分子(云雾)、尘埃等 B氧()、臭氧(3)和水气() 云层反射 )气散射作用 各种气体分子、水分子(云雾)、尘埃等 B氧()、臭氧(3)和水气() 云层反射 3)气反射作用 各种气体分子、水分子(云雾)、尘埃等 B氧()、臭氧(3)和水气() 云层反射 8将下列太阳气结构与名称对应

)光球 外层 B层 底层 )色球 外层 B层 底层 3)日冕 外层 B层 底层 9将下列气光学质量数值与实际情况对应

)0 太阳光直接垂直照射到地球表面情况 B太阳光照射到般地面情况 太阳光气层外 ) 太阳光直接垂直照射到地球表面情况 B太阳光照射到般地面情况 太阳光气层外 3)5 太阳光直接垂直照射到地球表面情况 B太阳光照射到般地面情况 太阳光气层外 0将下列气光学质量数值与情况对应

) B )5 B 3) B 0任 0任_000 、单项选择题(共0道试题共0分。

) ()硅太阳电池开始地面应用。

958年 B0世纪70年代初 0世纪70年代末 0世纪80年代初 用()制造半导体器件耐高温和抗辐射性能较特别适宜制作光伏器件和功率器件。

锗 B硅 硒 硼 3导电类型是()所专有概念。

导体 B半导体 金属材 绝缘体 光伏产业链游环节包括()。

硅硅片 B电池片电池组件 应用系统 硅片电池片电池组件 5当硅掺入族元素如()等就会形成型材。

磷 B锑 砷 硼 695年块实用单晶硅光电池效率()。

5% B6% 7% 8% 7用地面已批量生产太阳电池材主要有单晶硅、多晶硅与()。

非晶硅薄膜 BG 薄膜 8薄膜电池材目前不包括()。

非晶硅薄膜 B多晶硅(微晶硅)薄膜 单晶硅薄膜 ()薄膜 9光伏效应英简称是()。

B V 0光电换实现基装置是()。

硅 B硅片 太阳电池 太阳电池方阵 二、多项选择题(共0道试题共30分。

) 0世纪70年代初()开始引人到电池制造工艺太阳电池换效率有了较提高。

表面场 B细栅金属化 浅结表面扩散 表面织构化 近年针对单晶硅太阳电池换效率开发了许多新技术主要有()。

单双层减反射膜 B激光刻槽埋藏栅线技术 绒面技术 背接触电极克表面栅线遮光问题 高效背反射器技术 光吸收技术 3常用半导体材特性参数有()。

禁带宽 B电阻率 流子迁移率 非平衡流子寿命 位错密 常用半导体材特性参数有()。

禁带宽 B电阻率 流子迁移率 非平衡流子寿命 位错密 5高纯多晶硅是()主要原。

带状多晶硅 B铸造多晶硅 区熔单晶硅 直拉单晶硅 6铸造多晶硅()方面不如单晶硅。

力学性质 B光学性质 热学性质 电学性能 7薄膜电池材包括()。

非晶硅薄膜 B多晶硅(微晶硅)薄膜 薄膜 ()薄膜 8半导体材电阻率介()和()。

非绝缘体 B绝缘体 金属 非金属 9光伏产业链包括()环节。

硅 B硅片 电池片 电池组件 应用系统 0半导体材按化学成分和部结构致可分()。

元素半导体 B化合物半导体 无定形半导体材 有机增导体材 三、判断题(共0道试题共0分。

) 硅太阳电池958年首先航天器上得到应用。

错误 B正确 由生产规模扩生产工艺改进晶体硅太阳电池组件制造成00年有望降至美元。

错误 B正确 3光伏材又称太阳电池材只有半导体材具有这种功能。

错误 B正确 位错是晶体常见类晶体缺陷。

错误 B正确 50世纪70年代末硅太阳电池开始地面应用。

错误 B正确 6太阳能发电是种新兴可再生能利用方式。

错误 B正确 7禁带宽越晶体管正常工作高温限也越高。

错误 B正确 8对非晶态半导体位错也是反映其晶格完整性特性参数。

错误 B正确 9金属电阻率很高绝缘体电阻率非常半导体材电阻率介两者。

错误 B正确 0流子半导体参加导电电子和空穴。

错误 B正确 四、理(共0道试题共30分。

) 将下列太阳电池种类与电池组件光电换效率对应

)单晶硅 6%~8% B%~6% 5%~7% )多晶硅 6%~8% B%~6% 5%~7% 3)非晶硅 6%~8% B%~6% 5%~7% 将下列半导体材种类与代表材对应

)元素半导体 砷化镓 B氧化物玻璃 硅 )化合物半导体 砷化镓 B氧化物玻璃 硅 3)无定形半导体材 砷化镓 B氧化物玻璃 硅 3将下列半导体材特性参数与其性质对应

)禁带宽 反映材导电能力 B反映半导体材外界作用(如光或电场)下部流子由非平衡状态向平衡状态渡弛豫特性 反映组成这种材原子价电子从束缚状态激发到由状态所能量 )电阻率、流子迁移率 反映材导电能力 B反映半导体材外界作用(如光或电场)下部流子由非平衡状态向平衡状态渡弛豫特性 反映组成这种材原子价电子从束缚状态激发到由状态所能量 3)非平衡流子寿命 反映材导电能力 B反映半导体材外界作用(如光或电场)下部流子由非平衡状态向平衡状态渡弛豫特性 反映组成这种材原子价电子从束缚状态激发到由状态所能量 将下列切割方式与特对应

)外圆切割 刀片薄晶体损失少不受硅棒直径限制 B刀片薄晶体损失少 刀片厚晶体损失多 )圆切割 刀片薄晶体损失少不受硅棒直径限制 B刀片薄晶体损失少 刀片厚晶体损失多 3)带锯切割 刀片薄晶体损失少不受硅棒直径限制 B刀片薄晶体损失少 刀片厚晶体损失多 5将下列太阳电池种类与实验室效率对应

)单晶硅太阳电池 % B0% 5% )多晶硅太阳电池 % B0% 5% 3)非晶硅单结太阳电池 % B0% 5% 6将下列硅片几何尺寸参数对应

)K 厚 B总厚偏差 翘曲 )V 厚 B总厚偏差 翘曲 3)r 厚 B总厚偏差 翘曲 7将下列太阳电池发展历程对应

)958年 硅太阳电池958年首先航天器上得到应用 B把表面钝化技术、降低接触复合效应、处理提高流子寿命、改进陷光效应引入到电池制造工艺 把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池制造工艺 )0世纪70年代初 硅太阳电池958年首先航天器上得到应用 B把表面钝化技术、降低接触复合效应、处理提高流子寿命、改进陷光效应引入到电池制造工艺 把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池制造工艺 3)0世纪80年代初 硅太阳电池958年首先航天器上得到应用 B把表面钝化技术、降低接触复合效应、处理提高流子寿命、改进陷光效应引入到电池制造工艺 把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池制造工艺 8将下列事件与关系等对应

)839年 法国物理学Bqrl次实验室发现液体光生伏特效应 B固态硒()系统也观察到了光伏效应 贝尔实验室等人开发出块实用效率6%单晶硅光电池 )876年 法国物理学Bqrl次实验室发现液体光生伏特效应 B固态硒()系统也观察到了光伏效应 贝尔实验室等人开发出块实用效率6%单晶硅光电池 3)95年 法国物理学Bqrl次实验室发现液体光生伏特效应 B固态硒()系统也观察到了光伏效应 贝尔实验室等人开发出块实用效率6%单晶硅光电池 9将下列影响光电换效率主要因素与产生可能原因对应

)反射遮荫等光学损失 结区复合 B封装材透光率 逆变器等电器损耗 )流子复合损失 结区复合 B封装材透光率 逆变器等电器损耗 3)连接换等电学损失 结区复合 B封装材透光率 逆变器等电器损耗 0将下列线切割常出现问题与可能原因对应

)断线 切割工艺出现异常 B硅棒对接位置不 加工硅片空气停留长 )跳线 切割工艺出现异常 B硅棒对接位置不 加工硅片空气停留长 3)花片 切割工艺出现异常 B硅棒对接位置不 加工硅片空气停留长 03任 03任_000 、单项选择题(共0道试题共0分。

太阳电池组件通常是由多电池()而成。

串 B并 串或并 串叠 硅晶体任原子多形成()共价键。

B 3 3太阳电池串叠能够吸收较高能量光谱电池放()。

上层 B下层 任 铸造多晶硅太阳电池光电换效率要比直接单晶硅低()。

%~% B%~3% 3%~% %~5% 5单晶硅电池颜色多()。

白色 B金色 绿色 深蓝 6薄膜电池迅速发展优势是()。

成优势 B换效率提高空 利用围更加广泛 对环境危害 7()是制造光伏器件和微波器件及集成电路重要材。

砷化镓 B磷化锢 锑化锢 碳化硅 8单结G太阳电池换效率已达()。

% B5% 6% 7% 9有“三代太阳电池”称是()太阳电池

非晶硅薄膜 B碲化镉薄膜 铜铟硒化物(G)薄膜 染敏化纳米晶() 0太阳电池材缺陷属下列()影响太阳电池换效率主要因素。

反射及遮蔽等光学性能损失 B流子迁移复合损失 连接换等电学损失 其它损失 二、多项选择题(共0道试题共30分。

) 薄膜太阳电池得到迅速发展原因主要有()。

成优势 B换效率提高空 利用围更加广泛 对环境危害 0世纪70年代初()开始引人到电池制造工艺太阳电池换效率有了较提高。

表面场 B细栅金属化 浅结表面扩散 表面织构化 3硅晶太阳电池存着固有弱主要有()。

光电换理论效率相对较低 B光吸收系数远远低其他太阳光电材 相对成较高 尺寸相对较 太阳电池组件具有主要特有()。

满足不电压输出要 B有足够机械强 有明显电性能增益 提高利用效率 5多晶硅结构阳光下可通控制氮化硅减反射膜厚呈现()等不颜色。

黑色 B金色 绿色 深蓝 6对太阳电池说了得到高换效率要材有()和适()。

禁带宽 B电阻率 流子迁移率 非平衡流子寿命 位错密 7可做太阳电池材材有()。

硅晶材 B薄膜电池材 G半导体材 其他类型太阳电池材 8与其他太阳电池相比制造单晶硅太阳电池()。

所用硅材比较丰富 B制造技术比较成熟 换效率较高 结晶缺陷较 9常用半导体材特性参数有()。

禁带宽 B电阻率 流子迁移率 非平衡流子寿命 位错密 0近年针对单晶硅太阳电池换效率开发了许多新技术主要有()。

单双层减反射膜 B激光刻槽埋藏栅线技术 绒面技术 背接触电极克表面栅线遮光问题 高效背反射器技术 光吸收技术 三、判断题(共0道试题共0分。

太阳电池光电换效率指是照射到太阳电池表面上阳光被换成可用电流光子数与入射光子总量比例。

错误 B正确 硅晶体半导体性共价键。

错误 B正确 3光电器件对半导体材特性要高灵敏和短弛豫二者难兼顾。

错误 B正确 直拉(Z)硅单晶主要用制作功率整流元件和闸流管等电力电子器件。

错误 B正确 5共价键饱和性是指电子和另外电子配对以就不能再和三电子配对。

错误 B正确 6当型半导体材和型半导体材相连接将晶体型和型材形成界面即结。

错误 B正确 7染敏化纳米晶太阳电池制造成高传统硅晶太阳电池

错误 B正确 8共价键方向性是指原子只能特定方向上形成共价键。

错误 B正确 9非晶硅太阳电池结构常采用是结构。

错误 B正确 0传统硅晶太阳电池性能随温升高而下降。

错误 B正确 四、理(共0道试题共30分。

) 将下列半导体材种类与代表材对应

)元素半导体 砷化镓 B氧化物玻璃 硅 )化合物半导体 砷化镓 B氧化物玻璃 硅 3)无定形半导体材 砷化镓 B氧化物玻璃 硅 将下列太阳电池种类与工业化生产光电换效率对应

)单晶硅 7~9% B5~7% 6~8% )多晶硅 7~9% B5~7% 6~8% 3)非晶硅 7~9% B5~7% 6~8% 3将下列影响太阳电池光电换效率主要因素对应

)反射遮荫等光学损失 温及衰减损失 B逆变器等电器损耗 封装材透光率 )流子复合损失 温及衰减损失 B逆变器等电器损耗 封装材透光率 3)连接换等电学损失 温及衰减损失 B逆变器等电器损耗 封装材透光率 将下列太阳电池种类对应

)化合物晶体 砷化镓 B染敏化 铜铟镓硒 )化合物薄膜 砷化镓 B染敏化 铜铟镓硒 3)有机染 砷化镓 B染敏化 铜铟镓硒 5将下列太阳电池种类与实验室效率对应

)单晶硅太阳电池 % B0% 5% )多晶硅太阳电池 % B0% 5% 3)非晶硅单结太阳电池 % B0% 5% 6将下列半导体材特性参数与其性质对应

)禁带宽 反映材导电能力 B反映半导体材外界作用(如光或电场)下部流子由非平衡状态向平衡状态渡弛豫特性 反映组成这种材原子价电子从束缚状态激发到由状态所能量 )电阻率、流子迁移率 反映材导电能力 B反映半导体材外界作用(如光或电场)下部流子由非平衡状态向平衡状态渡弛豫特性 反映组成这种材原子价电子从束缚状态激发到由状态所能量 3)非平衡流子寿命 反映材导电能力 B反映半导体材外界作用(如光或电场)下部流子由非平衡状态向平衡状态渡弛豫特性 反映组成这种材原子价电子从束缚状态激发到由状态所能量 7将下列太阳电池发展历程对应

)958年 硅太阳电池958年首先航天器上得到应用 B把表面钝化技术、降低接触复合效应、处理提高流子寿命、改进陷光效应引入到电池制造工艺 把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池制造工艺 )0世纪70年代初 硅太阳电池958年首先航天器上得到应用 B把表面钝化技术、降低接触复合效应、处理提高流子寿命、改进陷光效应引入到电池制造工艺 把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池制造工艺 3)0世纪80年代初 硅太阳电池958年首先航天器上得到应用 B把表面钝化技术、降低接触复合效应、处理提高流子寿命、改进陷光效应引入到电池制造工艺 把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池制造工艺 8将下列太阳电池种类与实验室效率对应

)多晶硅 83% B% 0% )非晶硅单结 83% B% 0% 3)非晶硅多结 83% B% 0% 9将下列线切割常出现问题与可能原因对应

)断线 切割工艺出现异常 B硅棒对接位置不 加工硅片空气停留长 )跳线 切割工艺出现异常 B硅棒对接位置不 加工硅片空气停留长 3)花片 切割工艺出现异常 B硅棒对接位置不 加工硅片空气停留长 0将下列新型太阳电池名称及其主要特性描述对应

)RL 埋栅 B高效背表面反射器 发射极钝化及背面局部扩散 )B 埋栅 B高效背表面反射器 发射极钝化及背面局部扩散 3)BR 埋栅 B高效背表面反射器 发射极钝化及背面局部扩散 0任 0任_000 、单项选择题(共0道试题共0分。

) 用户太阳能电是指()安装太阳能电。

独立 B并 混合 以上皆不是 太阳能光伏水泵系统不具备元件是()。

太阳电池方阵 B控制器 电动机 蓄电池 3半透明幕墙多采用()电池。

单晶硅 B多晶硅 非晶硅薄膜 其他 目前光伏发电成高常规能发电()。

倍 B3倍 3倍 35倍 5孤岛效应是()特有现象。

独立光伏发电系统 B并光伏发电系统 混合光伏发电系统 以上皆不是 6目前光伏组件材寿命长约()多年。

0 B0 30 0 7下列具体应用实例不属有蓄电池直流系统是()。

草坪灯 B高速公路监控 直流光伏水泵 移动通讯基 8目前国外普遍采用并光伏发电系统是()。

有逆流型并系统 B无逆流型并系统 切换型并系统 直、交型并系统 9光伏发电与其它常规能发电相比发电成()。

偏高 B偏低 致 无法测算 0太阳能光伏发电系统般可选用性能较()逆变器。

正弦波 B余弦波 正切波 余切波 二、多项选择题(共0道试题共30分。

) 独立光伏发电系统特主要有()。

建设成般较高 B维护成也较高 储能元件 与公用电相连 下列具体应用实例属有蓄电池直流系统()。

手电 B手机充电器 路灯 杀虫灯 3光伏建筑体化优主要有()。

节地 B节能 节材 减少环境污染 光伏方阵与建筑集成主要分()方式。

屋顶光伏电 B墙面光伏电 光电幕墙 光电采光顶 光电遮阳板 5太阳能光伏发电系统对逆变器提出要主要有()。

能输出电压稳定交流电 B输出交流电频率稳定 具有定能力 逆变效率要高 6独立光伏发电系统对铅酸蓄电池提出要主要有()。

放电率低 B使用寿命相对较长 深放电能力强 充电效率高 能艰苦环境下工作 7独立光伏发电系统构成部件主要有()。

太阳电池方阵 B控制器 蓄电池组 逆变器 8光伏采光顶要主要有()。

安全 B抗风性 防水 防雷 采光 9半透明幕墙特有()。

透光率高 B价格低 生产方便 光能利用率较低 0光伏方阵与建筑结合主要分()方式。

屋顶光伏电 B墙面光伏电 光电幕墙 光电采光顶 光电遮阳板 三、判断题(共0道试题共0分。

) 高速公路监控属有蓄电池直流系统

错误 B正确 充放电开关只能是继电器。

错误 B正确 3太阳电池阳光照射下产生是直流电。

错误 B正确 “孤岛效应”是并光伏发电系统特有现象。

错误 B正确 5单体太阳电池是组成太阳电池组件单元其面积不其功率也不相。

错误 B正确 6将直流电变成交流电变流装置称整流装置 错误 B正确 7光伏建筑体化属并光伏发电系统

错误 B正确 8充放电开关实际上是广义上开关元件它可以是继电器、三极管等元件也可以是管、晶闸管或是机械等类型元件。

错误 B正确 9并光伏发电系统是现和将太阳能光伏发电主流。

错误 B正确 0“孤岛效应”是独立光伏发电系统特有现象。

错误 B正确 四、理(共0道试题共30分。

) 将独立光伏发电系统构件与功能对应

)电缆 电能储存装置 B电气连接 控制充放电 )充放电控制器 电能储存装置 B电气连接 控制充放电 3)储能元件 电能储存装置 B电气连接 控制充放电 将下列光伏建筑体化(BV)主要形式与型应用实例对应

)光伏屋顶或墙体系统 德国宝马世界屋面 B北京南太阳能屋顶 我国奥林匹克国体育馆 )光伏采光顶系统 德国宝马世界屋面 B北京南太阳能屋顶 我国奥林匹克国体育馆 3)光伏幕墙系统 德国宝马世界屋面 B北京南太阳能屋顶 我国奥林匹克国体育馆 3将下列太阳能光伏发电系统与特对应

)有逆流型并系统 剩余电力可输入国电无蓄电池 B剩余电力不输入国电无蓄电池 正常情况与国电分离特殊情况由国电供电有蓄电池 )无逆流型并系统 剩余电力可输入国电无蓄电池 B剩余电力不输入国电无蓄电池 正常情况与国电分离特殊情况由国电供电有蓄电池 3)切换型并系统 剩余电力可输入国电无蓄电池 B剩余电力不输入国电无蓄电池 正常情况与国电分离特殊情况由国电供电有蓄电池 将下列太阳能光伏发电系统与特对应

)型太阳能供电系统 只有功率较直流系统结构非常简单 B用电只有直流般白天使用 功率般较般直流设备 )简单直流系统 只有功率较直流系统结构非常简单 B用电只有直流般白天使用 功率般较般直流设备 3)型光伏发电系统 只有功率较直流系统结构非常简单 B用电只有直流般白天使用 功率般较般直流设备 5将下列太阳气结构与特对应

)光球 发出太阳全部光能 B可以延伸到几千公里高 极端稀薄气体壳延伸几太阳半径远 )色球 发出太阳全部光能 B可以延伸到几千公里高 极端稀薄气体壳延伸几太阳半径远 3)日冕 发出太阳全部光能 B可以延伸到几千公里高 极端稀薄气体壳延伸几太阳半径远 6将下列薄膜太阳电池种类对应

)硅薄膜 非晶硅 B高分子 碲化镉 )化合物薄膜 非晶硅 B高分子 碲化镉 3)有机染 非晶硅 B高分子 碲化镉 7将下列光伏产业链环节对应

)上游 应用系统 B电池片 硅片 )游 应用系统 B电池片 硅片 3)下游 应用系统 B电池片 硅片 8将下列光伏发电系统类型与具体应用实例对应

)交通标志灯 并光伏发电系统 B交流及交、直流混合光伏发电系统 有蓄电池直流系统 )交流太阳能户用系统光伏发电系统 B交流及交、直流混合光伏发电系统 有蓄电池直流系统 3)光伏建筑体化 并光伏发电系统 B交流及交、直流混合光伏发电系统 有蓄电池直流系统 9将光伏建筑体化系统对应

)节地 与建筑结合不额外占用土地 B降低空调荷产生能 与建筑体化可用作建筑维护结构 )节能 与建筑结合不额外占用土地 B降低空调荷产生能 与建筑体化可用作建筑维护结构 3)节材 与建筑结合不额外占用土地 B降低空调荷产生能 与建筑体化可用作建筑维护结构 0将下列说法对应

)臭氧层 对紫外线吸收强烈 B对能量吸收 既能吸收也能反射太阳光 )水蒸气 对紫外线吸收强烈 B对能量吸收 既能吸收也能反射太阳光 3)灰尘 对紫外线吸收强烈 B对能量吸收 既能吸收也能反射太阳

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